실제 상용화된 MOSFET이 아닌, 전자회로 등 이론상의 소자를 시뮬레이션 하기 위해서는 MbreakN, MbreakP를 사용해야 합니다.
이를 사용하는 자세한 방법은 다음 첨부파일 내에 기재되어 있습니다.
[다운로드] MOSFETS IN PSPICE.pdf
이게 올바르게 동작하는지 검증하기 위해 다음과 같이 간단한 회로를 만들어 시험해 보았습니다.
M1의 Model Text에는 다음과 같이 입력하였습니다.
입력한 Parameter의 의미는 다음과 같습니다.
- KP : μ Cox
- W : Channel Width
- L : Channel Length
- VTO : Gate Threshold Voltage(VTH)
- lambda : Channel length Modulation Coefficient (λ)
시뮬레이션 결과 그래프입니다. ID = 694.444uA라는 결과가 나왔습니다.
이는 다음 공식을 사용하여 손스파이스(?)로 계산한 결과와 토씨 하나도 안 틀리고 같은 값입니다.